0.11 Ultra-low Leakage
Overview
公司 0.11 ULL采用了鋁互連技術(shù)，1P8M 架構(gòu)，提供1.5V 內(nèi)核器件及3.3V 輸入輸出器件，具備超低漏電特點(diǎn)，器件特征Ioff (pA/um)<0.5。
Key Features
- Single poly, eight-metal-layer process
- Al backend with low-K FSG material
- Device Ioff (typical) <0.5 pA/um
Applications
- MCU
- IOT
0.11 ULL flash
Overview
公司 0.11 ULL flash 工藝是基于0.11 ULL工藝嵌入flash, 邏輯器件與ULL兼容。提供超低功耗模擬IP。
Key Features
- Double poly, eight-metal-layer process
- Al backend with low-K FSG material
- Competitive flash macro cell size
Application
- MCU
- IOT
