PHASE SHIFT MASK(PSM掩模),通過MOSI層產(chǎn)生180°的相位差以降低光的衍射作用,從而提高掩模圖形分辨率
相移掩模技術(shù)優(yōu)點:減少臨近效應,利用光的相干性,抵消部分衍射擴展效應,改變空間光強分布,使更多的能量從低頻分配到高頻上,彌補投影物鏡通低頻阻高頻的缺點,提高空間圖像的反差,改變像質(zhì),使分辨率和焦深增大
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