
應(yīng)用描述
隨著人們對智能手機的使用需求日益增加,智能手機性能提升的同時也帶來了功率損耗大幅提升問題。在電池容量和體積受限情況下,手機充電器的快充技術(shù)成為提高電池續(xù)航能力的有效解決方案。為了滿足人們小巧便攜需求,手機快充漸漸趨向較小的外形尺寸和較大的輸出功率,而這對制造廠家在解決溫升高、熱性能差等問題方面提出了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。
為滿足當(dāng)下智能手機和平板電腦等充電器的需求,CRMICRO推出了一系列可靠、高效的高壓及低壓MOSFET。第六代R系列平面高壓MOSFET產(chǎn)品,涵蓋200V-1700V電壓全系列產(chǎn)品,在滿足客戶各種選型需求的同時,該系列產(chǎn)品在提高溫升效率、改善EMI特性、抗雷擊浪涌能力方面有良好的表現(xiàn)。CRMICRO自主研發(fā)的高壓超結(jié)MOS,采用先進的多層外延和注入技術(shù),有國內(nèi)領(lǐng)先的Rsp和FOM(QG *RDS(on)) 。因其電流密度高、開關(guān)速度快、易用性好,為客戶的高效率、高可靠性需求提供良好的選擇。CRMICRO開發(fā)的SGT工藝低壓MOS,有優(yōu)秀的FOM參數(shù),便于客戶提高產(chǎn)品功率密度;同時也開發(fā)了低VGS(th)產(chǎn)品,滿足客戶各種應(yīng)用需求。多種封裝形式如DFN8*8、DFN5*6等可滿足終端應(yīng)用小尺寸外形的需求。
產(chǎn)品特色
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SJ MOS較低的FOM值,利于提升系統(tǒng)效率 | |
產(chǎn)品參數(shù)一致性好 | |
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SGT ;MOS較小的導(dǎo)通電阻,可滿足溫升、效率的要求 | |
高可靠性 |
應(yīng)用原理圖

典型應(yīng)用拓撲圖
應(yīng)用選型推薦
| 類型 | 產(chǎn)品名 | 封裝 | VDS | RDS(on) @typ | ID | QG | RG @typ | 特性 |
| (V) | (Ω) | (A) | (nC) | (Ω) | ||||
| HV-MOS | CRJL190N65GC | DFN8*8 | 650 | 0.19 | 20 | 49 | 0.9 | Low EMI |
| CRJT190N65GC | TO-220 | 650 | 0.19 | 20 | 49 | 0.9 | Low EMI | |
| CRJF190N65GC | TO-220F | 650 | 0.19 | 20 | 49 | 0.9 | Low EMI | |
| CRJQ190N65GC | TO-247 | 650 | 0.19 | 20 | 49 | 0.9 | Low EMI | |
| CRJS190N65GC | TO-263 | 650 | 0.19 | 20 | 49 | 0.9 | Low EMI | |
| CRJF200N70G2 | TO-220F | 700 | 0.2 | 20 | 42 | 9.3 | Low Qg | |
| CRJS200N70G2 | TO-263 | 700 | 0.2 | 20 | 42 | 9.3 | Low Qg | |
| CRJD290N65G2 | TO-252 | 650 | 0.29 | 15 | 24 | 2.6 | Low Qg | |
| CRJF290N65G2 | TO-220F | 650 | 0.29 | 15 | 24 | 2.6 | Low Qg | |
| CRJS290N65G2 | TO-263 | 650 | 0.29 | 15 | 24 | 2.6 | Low Qg | |
| CRJH360N70G2 | TO-251 | 700 | 0.38 | 13 | 26 | 9.3 | Low Qg | |
| CRJD360N70G2 | TO-252 | 700 | 0.38 | 13 | 26 | 9.3 | Low Qg | |
| CRJF360N70G2 | TO-220F | 700 | 0.38 | 13 | 26 | 9.3 | Low Qg | |
| CRJS360N70G2 | TO-263 | 700 | 0.38 | 13 | 26 | 9.3 | Low Qg | |
| CRJM390N65GC | PDFN5*6 | 650 | 0.45 | 11 | 22 | 2 | Low EMI | |
| CRJH390N65GC | TO-251 | 650 | 0.45 | 11 | 22 | 2 | Low EMI | |
| CRJD390N65GC | TO-252 | 650 | 0.45 | 11 | 22 | 2 | Low EMI | |
| CRT390N65GC | TO-220 | 650 | 0.45 | 11 | 22 | 2 | Low EMI | |
| CRJF390N65GC | TO-220F | 650 | 0.45 | 11 | 22 | 2 | Low EMI | |
| CRJS390N65GC | TO-263 | 650 | 0.45 | 11 | 22 | 2 | Low EMI | |
| CRJD650N65GC | TO-252 | 650 | 0.68 | 7 | 15 | 2.5 | Low EMI | |
| CRJF650N65GC | TO-220F | 650 | 0.68 | 7 | 15 | 2.5 | Low EMI | |
| CRJH650N65G2 | TO-251 | 650 | 0.65 | 7 | 12.5 | 6.5 | Low Qg | |
| CRJD650N65G2 | TO-252 | 650 | 0.65 | 7 | 12.5 | 6.5 | Low Qg | |
| CRJF650N65G2 | TO-220F | 650 | 0.65 | 7 | 12.5 | 6.5 | Low Qg | |
| CRJH750N70G2 | TO-251 | 700 | 0.75 | 7 | 12.5 | 8.5 | Low Qg | |
| CRJD750N70G2 | TO-252 | 700 | 0.75 | 7 | 12.5 | 8.5 | Low Qg | |
| CRJF750N70G2 | TO-220F | 700 | 0.75 | 7 | 12.5 | 8.5 | Low Qg | |
| CRJS750N70G2 | TO-263 | 700 | 0.75 | 7 | 12.5 | 8.5 | Low Qg | |
| CRJH800N65G2 | TO-251 | 650 | 0.8 | 6 | 10.8 | 6.9 | Low Qg | |
| CRJD800N65G2 | TO-252 | 650 | 0.8 | 6 | 10.8 | 6.9 | Low Qg | |
| CRJF800N65G2 | TO-220F | 650 | 0.8 | 6 | 10.8 | 6.9 | Low Qg | |
| CRJH850N65GC | TO-251 | 650 | 0.85 | 5 | 11 | 3 | Low EMI | |
| CRJD850N65GC | TO-252 | 650 | 0.85 | 5 | 11 | 3 | Low EMI | |
| CRJF850N65GC | TO-220F | 650 | 0.85 | 5 | 11 | 3 | Low EMI | |
| CRJH900N70G2 | TO-251 | 700 | 0.9 | 6 | 11 | 9 | Low Qg | |
| CRJD900N70G2 | TO-252 | 700 | 0.9 | 6 | 11 | 9 | Low Qg |

| 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品封裝 | 產(chǎn)品類別 |
|---|---|---|
| CRTE120N06L | SOP-8 | MOS |
| CRTH105N06L | TO-251 | MOS |
| CRTT095N12N | TO-220 | MOS |
| CRTS095N12N | TO-263 | MOS |
| CRTT150N15N | TO-220 | MOS |
| CRTS150N15N | TO-263 | MOS |
| CRTM025N03L | DFN5X6 | MOS |
| CRTT025NE4N | TO-220 | MOS |
| CRTD030N04L | TO-252 | MOS |
| CW431CS | TO-92 | 線性穩(wěn)壓電路 |