調(diào)研|華潤(rùn)微2條8吋產(chǎn)線滿載 重慶廠擬擴(kuò)產(chǎn)10%左右
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》 （上海，記者 吳凡）訊， “8吋晶圓廠產(chǎn)能緊張”已然成為當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的共識(shí)。中信證券近期發(fā)文指出，當(dāng)前行業(yè)8吋晶圓產(chǎn)能增量已十分有限，然而隨著下游消費(fèi)電子和汽車電子、工控等行業(yè)復(fù)蘇拉動(dòng)MOSFET、PMIC等產(chǎn)品需求，8吋成熟工藝需求旺盛，導(dǎo)致8吋晶圓廠產(chǎn)能吃緊，部分公司8吋晶圓已提價(jià)。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者獲悉，目前國(guó)內(nèi)擁有8吋產(chǎn)線的企業(yè)中既有做代工、也有IDM模式，其中科創(chuàng)板上市公司華潤(rùn)微（688396.SH）是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體IDM龍頭企業(yè)，其2條8吋線產(chǎn)能滿載，無(wú)錫的8吋線將略有擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備已就位，而位于重慶的8吋線晶圓產(chǎn)能目前已達(dá)到5.7萬(wàn)片/月，公司計(jì)劃后續(xù)提升至6.2萬(wàn)片/月，擴(kuò)充10%左右。
另外，華潤(rùn)微擁有3條6吋產(chǎn)線和一條正在建設(shè)的12吋產(chǎn)線，目前公司的6吋產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率在90%以上。而在今年7月，華潤(rùn)微6吋SiC生產(chǎn)線宣布量產(chǎn)，這是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6吋碳化硅晶圓生產(chǎn)線，現(xiàn)階段規(guī)劃產(chǎn)能為1000片/月。
將采取靈活價(jià)格策略
據(jù)了解，華潤(rùn)微的8吋產(chǎn)能主要用于生產(chǎn)功率器件（包括MOSFET、IGBT、二極管等）和功率IC，其中對(duì)于功率器件而言，產(chǎn)品的性能需要設(shè)計(jì)端和制造端進(jìn)行緊密結(jié)合，因此IDM模式具有更強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，目前華潤(rùn)微擁有兩條8吋晶圓生產(chǎn)線，其中重慶8吋生產(chǎn)線主要服務(wù)于公司自有產(chǎn)品，據(jù)招股書披露，該產(chǎn)線擁有溝槽型和平面型MOS、溝槽型和平面型SBD、IGBT、GaN 功率器件等生產(chǎn)制造技術(shù)，產(chǎn)品以功率器件為主。
8吋產(chǎn)線所生產(chǎn)的眾多功率器件中，MOSFET是華潤(rùn)微最主要產(chǎn)品之一，同時(shí)公司是國(guó)內(nèi)營(yíng)收最大、產(chǎn)品系列最全的MOSFET廠商。據(jù)了解，MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn),應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)YOLE預(yù)測(cè)，至2024年全球MOSFET市場(chǎng)將達(dá)到約87億元美元。
目前華潤(rùn)微可以提供-100V至1500V范圍內(nèi)低、中、高壓全系列 MOSFET 產(chǎn)品，“從下游市場(chǎng)看，消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)χ械蛪篗OSFET產(chǎn)品需求更旺盛?！?br style="line-height: 150%;" /> 在MOSFET產(chǎn)品的價(jià)格方面，由于當(dāng)前8吋晶圓產(chǎn)能出現(xiàn)瓶頸，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)很多采用Fabless模式的MOSFET廠商面臨晶圓代工環(huán)節(jié)成本增加的壓力，部分MOSFET廠商亦開始上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，比如捷捷微電內(nèi)部人士此前向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，公司MOSFET產(chǎn)品于8月起漲價(jià)。
對(duì)于華潤(rùn)微而言，與重慶8吋線基本全部是自有產(chǎn)品不同，其無(wú)錫8吋線85%左右用于外部代工，公司向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，對(duì)于MOSFET產(chǎn)品價(jià)格，公司會(huì)根據(jù)市場(chǎng)行情和客戶的具體情況，采取靈活機(jī)動(dòng)的價(jià)格策略，而對(duì)于8吋代工產(chǎn)線則會(huì)根據(jù)市場(chǎng)行情的變化，針對(duì)客戶結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品線終端應(yīng)用等情況綜合考慮相應(yīng)的價(jià)格策略來(lái)改善供給緊張的情況。
布局IGBT全產(chǎn)業(yè)鏈
除了MOSFET產(chǎn)品外，IGBT也是華潤(rùn)微的核心產(chǎn)品。
據(jù)了解，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品，是由雙極型三極管BJT和 MOSFET 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，被譽(yù)為“電力電子器件里的CPU”。
目前，國(guó)際IGBT大廠中8吋已成為主流生產(chǎn)線，英飛凌甚至在12吋晶圓產(chǎn)線上量產(chǎn)IGBT，國(guó)內(nèi)中車時(shí)代此前建造了中國(guó)首條8吋IGBT芯片生產(chǎn)線，但總體而言，無(wú)論是6吋還是8吋，國(guó)內(nèi)真正有能力生產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的生產(chǎn)線還較少。
當(dāng)前國(guó)內(nèi)能做IGBT芯片的廠商主要有兩類，一類是華潤(rùn)微、比亞迪、士蘭微、中車時(shí)代等IDM廠商，另一類是斯達(dá)半導(dǎo)體、上海陸芯等芯片設(shè)計(jì)公司，芯片交由中芯國(guó)際、華虹宏力等代加工廠生產(chǎn)。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者從華潤(rùn)微方面獲悉，其IGBT打造全產(chǎn)業(yè)鏈，即產(chǎn)品自主研發(fā)，具有自己的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、晶圓制造工藝和自己的銷售團(tuán)隊(duì)，目前華潤(rùn)微的IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐漸從6吋線轉(zhuǎn)移到8吋線上進(jìn)行生產(chǎn)。
值得注意的是，從供給端看，目前IGBT市場(chǎng)主要被英飛凌、安森美等國(guó)際大廠所壟斷，但受疫情的影響，原本采用進(jìn)口IGBT的廠商因?yàn)楣┴洸蛔?，逐漸將目光投向國(guó)內(nèi)供應(yīng)商；在需求端，IGBT是電動(dòng)車核心零部件之一，新能源汽車產(chǎn)銷的大增也拉動(dòng)著IGBT模塊需求。
從華潤(rùn)微公開資料獲悉，今年前三季度，其IGBT營(yíng)收較去年同期維持高速增長(zhǎng)，毛利率較去年同期也有提升。目前公司IGBT產(chǎn)品電壓范圍覆蓋600V-3300V，產(chǎn)品主要應(yīng)用在家電及工控領(lǐng)域，公司也在積極往汽車電子領(lǐng)域切入，“公司IGBT也在同步研發(fā)1700V、3300V等高功率產(chǎn)品。同時(shí)，IGBT產(chǎn)品從單管向模塊方面轉(zhuǎn)型”。
雖然IGBT當(dāng)前國(guó)產(chǎn)替代空間巨大，但華潤(rùn)微直面IGBT產(chǎn)品與國(guó)際大廠的差距，“在技術(shù)能力、工藝積累、產(chǎn)品線豐富程度、企業(yè)規(guī)模、品牌知名度等各方面與英飛凌、安森美等國(guó)際知名企業(yè)相比尚存在一定差距。面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，公司仍需進(jìn)一步加大科研投入，提高自主創(chuàng)新能力，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與競(jìng)爭(zhēng)力?！?br style="line-height: 150%;" />
SiC 6吋產(chǎn)線的三大特點(diǎn)
華潤(rùn)微擁有3條6吋產(chǎn)線，主要生產(chǎn)產(chǎn)品為雙極、MOS、肖特基等功率半導(dǎo)體，以及MEMS等智能傳感器。截至2020年6月，華潤(rùn)微6吋晶圓產(chǎn)能247萬(wàn)片/年，其中50%是自用，50%代工。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了第三代半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。而SiC因具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，將會(huì)取代Si作為大部分功率器件的材料（不會(huì)完全替代，因?yàn)閿?shù)字芯片并不適合采用SiC對(duì)Si進(jìn)行替代）。
今年7月，華潤(rùn)微6吋SiC生產(chǎn)線目前已開始量產(chǎn)，據(jù)了解，這是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6吋碳化硅晶圓生產(chǎn)線，目前規(guī)劃產(chǎn)能1000片/月，產(chǎn)品目標(biāo)應(yīng)用主要在太陽(yáng)能逆變器、通訊電源、服務(wù)器、儲(chǔ)能設(shè)備等領(lǐng)域。
據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解，公司SiC 6吋專用生產(chǎn)線有三大特點(diǎn)：第一，用較低的成本完成技術(shù)積累；第二，用較少的投資完成生產(chǎn)線建設(shè)，利用Si基半導(dǎo)體豐富的工作經(jīng)驗(yàn)，購(gòu)置專用設(shè)備使生產(chǎn)線落成；第三，利用與高校開展產(chǎn)學(xué)研合作的模式，推進(jìn)科研成果產(chǎn)業(yè)化。
值得注意的是，國(guó)際上600~1700V SiC SBD、MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，而從產(chǎn)線來(lái)講，國(guó)內(nèi)還是以4吋線為主，部分企業(yè)4吋+6吋，4吋做二極管沒有問(wèn)題，但做MOS器件是技術(shù)要求上達(dá)不到。
此外，雖然SiC MOSFET具有優(yōu)異性能，當(dāng)前仍有三大因素制約著產(chǎn)業(yè)鏈上下的同步發(fā)展。
其一是SiC基板的開發(fā)全流程：設(shè)備/工藝/處理/切割等。因?yàn)镾iC基板與傳統(tǒng)的硅晶錠有很大不同，從設(shè)備、工藝、處理到切割的一切都需要進(jìn)行全新開發(fā)，因此SiC基板是國(guó)內(nèi)公司都在著力解決的瓶頸之一。
其二是低良率/出貨量導(dǎo)致成本居高不下：相對(duì)于硅材料器件而言，碳化硅器件是比較新的產(chǎn)品，因?yàn)楫a(chǎn)量和產(chǎn)能原因，所以價(jià)格相對(duì)較高，這是其在商用化道路中主要阻力之一。
其三是晶圓材料，即可能存在品質(zhì)參差不齊、供應(yīng)時(shí)有風(fēng)險(xiǎn)，過(guò)去的兩三年里，晶圓供應(yīng)短缺一直是制約SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的較大瓶頸之一。
由于SiC主要應(yīng)用在功率半導(dǎo)體上，因此IDM模式能夠確保產(chǎn)品良率、控制成本。目前在國(guó)際大廠中，意法半導(dǎo)體、英飛凌等公司也均采用的IDM模式發(fā)展第三代半導(dǎo)體。
據(jù)悉，公司基于SiC 6吋專用生產(chǎn)線生產(chǎn)的新產(chǎn)品SiC MOSFET預(yù)計(jì)今年出樣品，明年推向市場(chǎng)，未來(lái)的重點(diǎn)發(fā)展方向是工控及汽車電子領(lǐng)域。
同時(shí)，華潤(rùn)微正在布局碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，“公司SiC二極管在客戶送樣階段，市場(chǎng)對(duì)于新產(chǎn)品有一個(gè)接受的過(guò)程，目前還沒有大規(guī)模起量，未來(lái)將視市場(chǎng)的需求情況考慮是否擴(kuò)產(chǎn)”。
定增封測(cè)業(yè)務(wù)配套重慶8吋、12吋產(chǎn)線
由于當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)能全線吃緊，不僅前段晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，后段封測(cè)產(chǎn)能同樣出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨的情況，受此影響，近期封測(cè)巨頭日月光半導(dǎo)體就發(fā)布了通知，2021年第一季度封測(cè)單價(jià)調(diào)漲5%至10%。
據(jù)華潤(rùn)微招股書（注冊(cè)稿）披露，公司在無(wú)錫和深圳擁有半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)線，年封裝能力約為62億顆。但同時(shí)公司目前約90%的功率器件封測(cè)采用外包的形式。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，相比于外包，自有封裝的成本要更低，且未來(lái)功率半導(dǎo)體會(huì)利用封裝技術(shù)來(lái)提升產(chǎn)品的性能，從而提升產(chǎn)品盈利水平。
今年10月，華潤(rùn)微發(fā)布定增預(yù)案，擬募資不超過(guò)50億元用于華潤(rùn)微半導(dǎo)體封測(cè)基地項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金，其中公司計(jì)劃在重慶西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)新建功率半導(dǎo)體封測(cè)基地，主要用于封裝測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、先進(jìn)面板級(jí)功率產(chǎn)品、特色功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。未來(lái)，將會(huì)整合公司現(xiàn)有封裝測(cè)試環(huán)節(jié)資源，一方面通過(guò)先進(jìn)的封測(cè)基地建設(shè)提高現(xiàn)有產(chǎn)能，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求；另一方面助力公司在功率器件半導(dǎo)體封裝測(cè)試這一后道制造領(lǐng)域的工藝提升，增強(qiáng)公司產(chǎn)品及服務(wù)的創(chuàng)新能力與技術(shù)水平。
長(zhǎng)城證券鄒蘭蘭認(rèn)為，半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié)為代工環(huán)節(jié)下游，直接受益代工環(huán)節(jié)產(chǎn)能緊張。隨著代工產(chǎn)能擴(kuò)張，封測(cè)行業(yè)將迎來(lái)進(jìn)一步擴(kuò)容。
據(jù)悉，目前多家封測(cè)公司正在加碼封測(cè)產(chǎn)能，與此同時(shí)，亦有部分芯片設(shè)計(jì)公司也在自建封測(cè)產(chǎn)線，如國(guó)產(chǎn)CMOS芯片商格科微就正在自建COM封測(cè)產(chǎn)線和部分測(cè)試產(chǎn)線。
創(chuàng)道投資咨詢執(zhí)行董事步日欣此前表示，芯片設(shè)計(jì)公司自建封裝測(cè)試產(chǎn)線，不是一個(gè)特別普遍現(xiàn)象，一般情況下，自建封裝產(chǎn)線是為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能保證，防止在產(chǎn)能不足情況下出現(xiàn)產(chǎn)品斷貨。
專業(yè)代工模式對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)、用途單一、用量大的產(chǎn)品具有規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)，但在需要多品種、小批量生產(chǎn)的模擬IC、MEMS等行業(yè)，自建封測(cè)生產(chǎn)線顯然會(huì)成為主流模式，“公司將圍繞在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心優(yōu)勢(shì)，滿足功率半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的需求”。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者獲悉，目前國(guó)內(nèi)擁有8吋產(chǎn)線的企業(yè)中既有做代工、也有IDM模式，其中科創(chuàng)板上市公司華潤(rùn)微（688396.SH）是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體IDM龍頭企業(yè)，其2條8吋線產(chǎn)能滿載，無(wú)錫的8吋線將略有擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備已就位，而位于重慶的8吋線晶圓產(chǎn)能目前已達(dá)到5.7萬(wàn)片/月，公司計(jì)劃后續(xù)提升至6.2萬(wàn)片/月，擴(kuò)充10%左右。
另外，華潤(rùn)微擁有3條6吋產(chǎn)線和一條正在建設(shè)的12吋產(chǎn)線，目前公司的6吋產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率在90%以上。而在今年7月，華潤(rùn)微6吋SiC生產(chǎn)線宣布量產(chǎn)，這是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6吋碳化硅晶圓生產(chǎn)線，現(xiàn)階段規(guī)劃產(chǎn)能為1000片/月。
將采取靈活價(jià)格策略
據(jù)了解，華潤(rùn)微的8吋產(chǎn)能主要用于生產(chǎn)功率器件（包括MOSFET、IGBT、二極管等）和功率IC，其中對(duì)于功率器件而言，產(chǎn)品的性能需要設(shè)計(jì)端和制造端進(jìn)行緊密結(jié)合，因此IDM模式具有更強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，目前華潤(rùn)微擁有兩條8吋晶圓生產(chǎn)線，其中重慶8吋生產(chǎn)線主要服務(wù)于公司自有產(chǎn)品，據(jù)招股書披露，該產(chǎn)線擁有溝槽型和平面型MOS、溝槽型和平面型SBD、IGBT、GaN 功率器件等生產(chǎn)制造技術(shù)，產(chǎn)品以功率器件為主。
8吋產(chǎn)線所生產(chǎn)的眾多功率器件中，MOSFET是華潤(rùn)微最主要產(chǎn)品之一，同時(shí)公司是國(guó)內(nèi)營(yíng)收最大、產(chǎn)品系列最全的MOSFET廠商。據(jù)了解，MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn),應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)YOLE預(yù)測(cè)，至2024年全球MOSFET市場(chǎng)將達(dá)到約87億元美元。
目前華潤(rùn)微可以提供-100V至1500V范圍內(nèi)低、中、高壓全系列 MOSFET 產(chǎn)品，“從下游市場(chǎng)看，消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)χ械蛪篗OSFET產(chǎn)品需求更旺盛?！?br style="line-height: 150%;" /> 在MOSFET產(chǎn)品的價(jià)格方面，由于當(dāng)前8吋晶圓產(chǎn)能出現(xiàn)瓶頸，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)很多采用Fabless模式的MOSFET廠商面臨晶圓代工環(huán)節(jié)成本增加的壓力，部分MOSFET廠商亦開始上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，比如捷捷微電內(nèi)部人士此前向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，公司MOSFET產(chǎn)品于8月起漲價(jià)。
對(duì)于華潤(rùn)微而言，與重慶8吋線基本全部是自有產(chǎn)品不同，其無(wú)錫8吋線85%左右用于外部代工，公司向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，對(duì)于MOSFET產(chǎn)品價(jià)格，公司會(huì)根據(jù)市場(chǎng)行情和客戶的具體情況，采取靈活機(jī)動(dòng)的價(jià)格策略，而對(duì)于8吋代工產(chǎn)線則會(huì)根據(jù)市場(chǎng)行情的變化，針對(duì)客戶結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品線終端應(yīng)用等情況綜合考慮相應(yīng)的價(jià)格策略來(lái)改善供給緊張的情況。
布局IGBT全產(chǎn)業(yè)鏈
除了MOSFET產(chǎn)品外，IGBT也是華潤(rùn)微的核心產(chǎn)品。
據(jù)了解，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品，是由雙極型三極管BJT和 MOSFET 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，被譽(yù)為“電力電子器件里的CPU”。
目前，國(guó)際IGBT大廠中8吋已成為主流生產(chǎn)線，英飛凌甚至在12吋晶圓產(chǎn)線上量產(chǎn)IGBT，國(guó)內(nèi)中車時(shí)代此前建造了中國(guó)首條8吋IGBT芯片生產(chǎn)線，但總體而言，無(wú)論是6吋還是8吋，國(guó)內(nèi)真正有能力生產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的生產(chǎn)線還較少。
當(dāng)前國(guó)內(nèi)能做IGBT芯片的廠商主要有兩類，一類是華潤(rùn)微、比亞迪、士蘭微、中車時(shí)代等IDM廠商，另一類是斯達(dá)半導(dǎo)體、上海陸芯等芯片設(shè)計(jì)公司，芯片交由中芯國(guó)際、華虹宏力等代加工廠生產(chǎn)。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者從華潤(rùn)微方面獲悉，其IGBT打造全產(chǎn)業(yè)鏈，即產(chǎn)品自主研發(fā)，具有自己的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、晶圓制造工藝和自己的銷售團(tuán)隊(duì)，目前華潤(rùn)微的IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐漸從6吋線轉(zhuǎn)移到8吋線上進(jìn)行生產(chǎn)。
值得注意的是，從供給端看，目前IGBT市場(chǎng)主要被英飛凌、安森美等國(guó)際大廠所壟斷，但受疫情的影響，原本采用進(jìn)口IGBT的廠商因?yàn)楣┴洸蛔?，逐漸將目光投向國(guó)內(nèi)供應(yīng)商；在需求端，IGBT是電動(dòng)車核心零部件之一，新能源汽車產(chǎn)銷的大增也拉動(dòng)著IGBT模塊需求。
從華潤(rùn)微公開資料獲悉，今年前三季度，其IGBT營(yíng)收較去年同期維持高速增長(zhǎng)，毛利率較去年同期也有提升。目前公司IGBT產(chǎn)品電壓范圍覆蓋600V-3300V，產(chǎn)品主要應(yīng)用在家電及工控領(lǐng)域，公司也在積極往汽車電子領(lǐng)域切入，“公司IGBT也在同步研發(fā)1700V、3300V等高功率產(chǎn)品。同時(shí)，IGBT產(chǎn)品從單管向模塊方面轉(zhuǎn)型”。
雖然IGBT當(dāng)前國(guó)產(chǎn)替代空間巨大，但華潤(rùn)微直面IGBT產(chǎn)品與國(guó)際大廠的差距，“在技術(shù)能力、工藝積累、產(chǎn)品線豐富程度、企業(yè)規(guī)模、品牌知名度等各方面與英飛凌、安森美等國(guó)際知名企業(yè)相比尚存在一定差距。面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，公司仍需進(jìn)一步加大科研投入，提高自主創(chuàng)新能力，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與競(jìng)爭(zhēng)力?！?br style="line-height: 150%;" />
SiC 6吋產(chǎn)線的三大特點(diǎn)
華潤(rùn)微擁有3條6吋產(chǎn)線，主要生產(chǎn)產(chǎn)品為雙極、MOS、肖特基等功率半導(dǎo)體，以及MEMS等智能傳感器。截至2020年6月，華潤(rùn)微6吋晶圓產(chǎn)能247萬(wàn)片/年，其中50%是自用，50%代工。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了第三代半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。而SiC因具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，將會(huì)取代Si作為大部分功率器件的材料（不會(huì)完全替代，因?yàn)閿?shù)字芯片并不適合采用SiC對(duì)Si進(jìn)行替代）。
今年7月，華潤(rùn)微6吋SiC生產(chǎn)線目前已開始量產(chǎn)，據(jù)了解，這是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6吋碳化硅晶圓生產(chǎn)線，目前規(guī)劃產(chǎn)能1000片/月，產(chǎn)品目標(biāo)應(yīng)用主要在太陽(yáng)能逆變器、通訊電源、服務(wù)器、儲(chǔ)能設(shè)備等領(lǐng)域。
據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解，公司SiC 6吋專用生產(chǎn)線有三大特點(diǎn)：第一，用較低的成本完成技術(shù)積累；第二，用較少的投資完成生產(chǎn)線建設(shè)，利用Si基半導(dǎo)體豐富的工作經(jīng)驗(yàn)，購(gòu)置專用設(shè)備使生產(chǎn)線落成；第三，利用與高校開展產(chǎn)學(xué)研合作的模式，推進(jìn)科研成果產(chǎn)業(yè)化。
值得注意的是，國(guó)際上600~1700V SiC SBD、MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，而從產(chǎn)線來(lái)講，國(guó)內(nèi)還是以4吋線為主，部分企業(yè)4吋+6吋，4吋做二極管沒有問(wèn)題，但做MOS器件是技術(shù)要求上達(dá)不到。
此外，雖然SiC MOSFET具有優(yōu)異性能，當(dāng)前仍有三大因素制約著產(chǎn)業(yè)鏈上下的同步發(fā)展。
其一是SiC基板的開發(fā)全流程：設(shè)備/工藝/處理/切割等。因?yàn)镾iC基板與傳統(tǒng)的硅晶錠有很大不同，從設(shè)備、工藝、處理到切割的一切都需要進(jìn)行全新開發(fā)，因此SiC基板是國(guó)內(nèi)公司都在著力解決的瓶頸之一。
其二是低良率/出貨量導(dǎo)致成本居高不下：相對(duì)于硅材料器件而言，碳化硅器件是比較新的產(chǎn)品，因?yàn)楫a(chǎn)量和產(chǎn)能原因，所以價(jià)格相對(duì)較高，這是其在商用化道路中主要阻力之一。
其三是晶圓材料，即可能存在品質(zhì)參差不齊、供應(yīng)時(shí)有風(fēng)險(xiǎn)，過(guò)去的兩三年里，晶圓供應(yīng)短缺一直是制約SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的較大瓶頸之一。
由于SiC主要應(yīng)用在功率半導(dǎo)體上，因此IDM模式能夠確保產(chǎn)品良率、控制成本。目前在國(guó)際大廠中，意法半導(dǎo)體、英飛凌等公司也均采用的IDM模式發(fā)展第三代半導(dǎo)體。
據(jù)悉，公司基于SiC 6吋專用生產(chǎn)線生產(chǎn)的新產(chǎn)品SiC MOSFET預(yù)計(jì)今年出樣品，明年推向市場(chǎng)，未來(lái)的重點(diǎn)發(fā)展方向是工控及汽車電子領(lǐng)域。
同時(shí)，華潤(rùn)微正在布局碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，“公司SiC二極管在客戶送樣階段，市場(chǎng)對(duì)于新產(chǎn)品有一個(gè)接受的過(guò)程，目前還沒有大規(guī)模起量，未來(lái)將視市場(chǎng)的需求情況考慮是否擴(kuò)產(chǎn)”。
定增封測(cè)業(yè)務(wù)配套重慶8吋、12吋產(chǎn)線
由于當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)能全線吃緊，不僅前段晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，后段封測(cè)產(chǎn)能同樣出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨的情況，受此影響，近期封測(cè)巨頭日月光半導(dǎo)體就發(fā)布了通知，2021年第一季度封測(cè)單價(jià)調(diào)漲5%至10%。
據(jù)華潤(rùn)微招股書（注冊(cè)稿）披露，公司在無(wú)錫和深圳擁有半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)線，年封裝能力約為62億顆。但同時(shí)公司目前約90%的功率器件封測(cè)采用外包的形式。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，相比于外包，自有封裝的成本要更低，且未來(lái)功率半導(dǎo)體會(huì)利用封裝技術(shù)來(lái)提升產(chǎn)品的性能，從而提升產(chǎn)品盈利水平。
今年10月，華潤(rùn)微發(fā)布定增預(yù)案，擬募資不超過(guò)50億元用于華潤(rùn)微半導(dǎo)體封測(cè)基地項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金，其中公司計(jì)劃在重慶西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)新建功率半導(dǎo)體封測(cè)基地，主要用于封裝測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、先進(jìn)面板級(jí)功率產(chǎn)品、特色功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。未來(lái)，將會(huì)整合公司現(xiàn)有封裝測(cè)試環(huán)節(jié)資源，一方面通過(guò)先進(jìn)的封測(cè)基地建設(shè)提高現(xiàn)有產(chǎn)能，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求；另一方面助力公司在功率器件半導(dǎo)體封裝測(cè)試這一后道制造領(lǐng)域的工藝提升，增強(qiáng)公司產(chǎn)品及服務(wù)的創(chuàng)新能力與技術(shù)水平。
長(zhǎng)城證券鄒蘭蘭認(rèn)為，半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié)為代工環(huán)節(jié)下游，直接受益代工環(huán)節(jié)產(chǎn)能緊張。隨著代工產(chǎn)能擴(kuò)張，封測(cè)行業(yè)將迎來(lái)進(jìn)一步擴(kuò)容。
據(jù)悉，目前多家封測(cè)公司正在加碼封測(cè)產(chǎn)能，與此同時(shí)，亦有部分芯片設(shè)計(jì)公司也在自建封測(cè)產(chǎn)線，如國(guó)產(chǎn)CMOS芯片商格科微就正在自建COM封測(cè)產(chǎn)線和部分測(cè)試產(chǎn)線。
創(chuàng)道投資咨詢執(zhí)行董事步日欣此前表示，芯片設(shè)計(jì)公司自建封裝測(cè)試產(chǎn)線，不是一個(gè)特別普遍現(xiàn)象，一般情況下，自建封裝產(chǎn)線是為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能保證，防止在產(chǎn)能不足情況下出現(xiàn)產(chǎn)品斷貨。
專業(yè)代工模式對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)、用途單一、用量大的產(chǎn)品具有規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)，但在需要多品種、小批量生產(chǎn)的模擬IC、MEMS等行業(yè)，自建封測(cè)生產(chǎn)線顯然會(huì)成為主流模式，“公司將圍繞在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心優(yōu)勢(shì)，滿足功率半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的需求”。