2019年經(jīng)營狀況平穩(wěn)，一季度業(yè)績首秀高開

據(jù)了解，華潤微電子于2020年2月27日成功登陸科創(chuàng)板，是目前國內(nèi)領(lǐng)先的具備完整產(chǎn)業(yè)鏈，以IDM為主要運營模式的半導(dǎo)體企業(yè)。公司聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域，致力于為客戶提供半導(dǎo)體產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案。據(jù)其最新披露財務(wù)報告顯示，2019年度，公司實現(xiàn)營業(yè)收入57.43億元，較上年同期下降8.42%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤4.01億元，較上年同期下降6.68%；公司總資產(chǎn)100.96億元，較期初增長1.03%；歸屬于母公司所有者權(quán)益為54.23億元，較期初增長30.74%。全年經(jīng)營業(yè)績符合公司上市前市場對其波動的預(yù)期。

兩大業(yè)務(wù)板塊不斷夯實，各領(lǐng)域創(chuàng)新齊頭并進

目前，華潤微電子主營業(yè)務(wù)分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊，2019年報告期內(nèi)，兩大業(yè)務(wù)板塊銷售收入均保持平穩(wěn)態(tài)勢。公司產(chǎn)品與方案實現(xiàn)銷售收入為25.16億元，其中，功率器件業(yè)務(wù)板塊成品化比例從同期的51%提升至60.3%，成品及系統(tǒng)方案銷售完成11.34億元；集成電路業(yè)務(wù)板塊市場范圍不斷延伸，功率驅(qū)動和電源管理相關(guān)產(chǎn)品導(dǎo)入品牌家電客戶，煙霧報警傳感器產(chǎn)品、光電傳感器產(chǎn)品市場份額領(lǐng)先。制造及服務(wù)板塊實現(xiàn)營收31.84億元，其中，晶圓制造業(yè)務(wù)板塊加速MEMS和先進BCD工藝研發(fā)進度，增強技術(shù)差異化。封裝測試業(yè)務(wù)板塊通過封裝測試可靠性提升，逐步拓展工控和汽車電子產(chǎn)品業(yè)務(wù)。報告期內(nèi)，公司整體汽車工控銷售額同比提升19%。此外，正在開發(fā)的面板級封裝工藝于2019年7月15日開始通線試生產(chǎn)，2019年完成了部分海外知名客戶導(dǎo)入工作，同時正在與多家客戶對接。公司表示，從技術(shù)創(chuàng)新到市場拓展，公司兩大主營業(yè)務(wù)板塊基礎(chǔ)不斷夯實，未來盈利空間可期。

據(jù)了解，華潤微電子是目前國內(nèi)產(chǎn)品線最為全面的功率器件廠商，也是國內(nèi)營業(yè)收入最大、產(chǎn)品系列最全的MOSFET 廠商，其財報數(shù)據(jù)表明，2019年，公司MOSFET銷售收入約占全球市場份額的3%，占國內(nèi)市場份額約8%，僅次于英飛凌和安森美，根據(jù)IHS數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2019年全球MOSFET市場規(guī)模約為80 億美元，且中國MOSFET占據(jù)約全球市場規(guī)模的40%，卓越的產(chǎn)品競爭優(yōu)勢下，華潤微電子在該領(lǐng)域仍有突破空間，且有望持續(xù)引領(lǐng)。

國產(chǎn)替代迎來歷史機遇，多維度鍛造核心競爭力

由于春節(jié)期間沒有停工檢修，且對疫情的良好防控，2020年一季度，華潤微電子在全體員工零感染的情況實現(xiàn)業(yè)績穩(wěn)增，公司表示，疫情之下，公司將重點關(guān)注需求端和供應(yīng)端的變化，始終堅持央企使命擔當，做好疫情應(yīng)對方案，為國內(nèi)電子整機供應(yīng)鏈貢獻國產(chǎn)芯片力量。此前，受中美貿(mào)易新形勢影響，中國整機企業(yè)與半導(dǎo)體企業(yè)的協(xié)同關(guān)系日益形成，可信生態(tài)逐步建立，公司表示，將充分把握本次機遇，通過研發(fā)投入、投資并購等多重路徑提高公司核心競爭力。

據(jù)了解，在投資并購方面，2019年，華潤微電子通過收購國內(nèi)功率器件封裝測試企業(yè)，步入汽車電子級封測行業(yè)。同時，完成了潤科基金的設(shè)立，首期認繳規(guī)模14.95億元。此外，公司通過整體引進氮化鎵材料研發(fā)團隊，購置研發(fā)設(shè)備，完成氮化鎵材料研發(fā)能力的建設(shè)。

在技術(shù)研發(fā)方面，公司目前在第三代功率器件設(shè)計及工藝技術(shù)、功率器件及其模組核心技術(shù)、高端功率IC研發(fā)、傳感器產(chǎn)品開發(fā)等四大前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品方面加大研發(fā)資源的投入，在報告期內(nèi)均取得了較好成效。在第三代功率器件設(shè)計及工藝技術(shù)研究方面，公司根據(jù)研發(fā)進程有序推進碳化硅(SiC)中試生產(chǎn)線建設(shè)，目前已按計劃完成第一階段建設(shè)目標，利用此建立的基礎(chǔ)條件完成了1200V、650V SiC JBS產(chǎn)品開發(fā)和考核；1200V SiC MOSFET的研發(fā)也取得重大進展。與此同時，600V硅襯底氮化鎵(GaN)HEMT器件主要動態(tài)和靜態(tài)參數(shù)基本達標。